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BSC600N25NS3 G

在4个相关元器件中,BSC600N25NS3 G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
BSC600N25NS3 G Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3 下载
BSC600N25NS3G Infineon(英飞凌) OptiMOS3 Power-Transistor 下载
BSC600N25NS3G_11 Infineon(英飞凌) OptiMOSTM3 Power-Transistor 下载
BSC600N25NS3GATMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3 下载
BSC600N25NS3 G的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3

参数
参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TDSON-8
通道数量1 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压250 V
Id-连续漏极电流25 A
Rds On-漏源导通电阻50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压2 V
Vgs - 栅极-源极电压20 V
Qg-栅极电荷29 nC
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 150 C
Pd-功率耗散125 W
配置Single
通道模式Enhancement
封装Cut Tape
封装MouseReel
封装Reel
高度1.27 mm
长度5.9 mm
系列OptiMOS 3
晶体管类型1 N-Channel
类型OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度5.15 mm
正向跨导 - 最小值25 S
下降时间8 ns
上升时间10 ns
工厂包装数量5000
典型关闭延迟时间22 ns
典型接通延迟时间10 ns
单位重量100 mg
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